钻石的显着特性之一是其无与伦比的导热系数是铜的五倍。热量是由金属中的电子传导的

但是晶格振动是金刚石具有高导热率的关键因素由于极高的电弧放电温度会产生非常高的

原子氢浓度因此即使采用直流电弧等离子射流以相对较高的生长速度也可以轻松获得具有

高导热率的金刚石膜。我们公司制造的光学品质单晶金刚石的热导率接近自然类型IIa金刚

石的热导率，即2000W / mK。导热率可以在800-2000 W / mK的范围内进行定制，因此可

以细分为不同的质量等级，以满足我们在不应用领域的客户的不同需求。我们公司生产的

单晶金刚石被用作大功率集成电路，激光二极管金刚石上的GaN（GOD）以及卫星电子系

统的散热器的底座。

     标准介质：＞ 1200W / mk

     高：＞ 1500W / mk

     优：＞ 1800W / mk（最高2000W / mk）

     厚度公差：±25um

     平面度：<4um / cm

     密度：3.5g / cm 3

     杨氏模量：1000-1100GPa

     生长侧表面光洁度：<100 nm Ra

     成核侧表面光洁度：<30 nm Ra

     标准尺寸

     双面抛光：向上至直径150毫米

     厚度增长：0.3毫米至1.5毫米

     抛光厚度：0.2毫米至1.0毫米